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报告题目:Growth of Single Crystal Graphene and the Applications of CVD graphene
报 告 人:Dr. Qingkai Yu (于庆凯)
报告地点:冶金馆301
报告时间:2017年6月27日上午9点

报告题目:Growth of Single Crystal Graphene and the Applications of CVD graphene


报告人:Dr. Qingkai Yu (于庆凯)

时  间:2017年6月27日上午9点


地  点:冶金馆301



报告人简介:

于庆凯博士2006年获得美国休斯顿大学博士学位,现为美国Texas State University助理教授, 为石墨烯生长领域的开拓者,最早提出并实践了在铜表面用化学气相沉积的方法生长石墨烯,在镍箔上生长石墨烯的工作也被广泛引用。他多年来从事材料的生长、表征和器件研究,先后在Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nano Letters, Advanced Materials, ACS Nano, Applied Physics Letters等著名期刊发表学术文章30余篇。于庆凯博士是20多个学术杂志的审稿人,拥有两项美国专利,并主持多项美国国家科学基金、能源部、国防部及工业界项目。